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IGBT單管
TYPE
封裝
結溫Tj(℃）
集電極-發射極電壓VCE（V)
集電極電流IC（A)
柵極電壓VGE（V)
功耗PD（W）
最大結-殼熱阻Rth(j-c)（℃/W）
飽和壓降VCE（sat)(V)
柵極導通電壓VGE（th)(V)
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LSI40N120F3 A To-247-3L 175℃ 1200 40 ±20 350 0.42 1.9 5.2

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