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IGBT模塊
TYPE
封裝
結溫Tj(℃）
集電極-發射極電壓VCE（V)
集電極電流IC（A)
柵極電壓VGE（V)
功耗PD（W）
最大結-殼熱阻Rth(j-c)（℃/W）
飽和壓降VCE（sat)(V)
柵極導通電壓VGE（th)(V)
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LSMW100BS120-1 IGBT模塊 175 1200 100 ±20 555 0.3 2.9 5

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