IGBT模塊
封裝
集電極-發射極電壓VCE(V)
集電極電流IC(A)
柵極電壓VGE(V)
功耗PD(W)
最大結-殼熱阻Rth(j-c)(℃/W)
飽和壓降VCE(sat)(V)
柵極導通電壓VGE(th)(V)
結溫Tj(℃)
TYPE
封裝
結溫Tj(℃)
集電極-發射極電壓VCE(V)
集電極電流IC(A)
柵極電壓VGE(V)
功耗PD(W)
最大結-殼熱阻Rth(j-c)(℃/W)
飽和壓降VCE(sat)(V)
柵極導通電壓VGE(th)(V)
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